三极管各电极上的电流分配关系为：发射极IE=基极IB+集电极IC。发射极电流IE，集电极电流IC大于基极电流IB，集电极IC=β基极IB。晶体三极管有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative）。N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴...

三极管的集电极电流是由发射极“发射”的载流子，越过基区到达集电极的。由于基区存在相反的载流子（对于P型材料就是空穴），发射极过来载流子在前进途中有可能碰到这些陷阱而被“复合”掉，变成基极电流。这就好比一个集团军在冲锋的路上，总有一部分战士踏到地雷而牺牲，冲到终点的战士与牺牲的战士比例取...

发射极电流=集电极电流+基极电流。即发射极电流等于集电极上的电流与基极电流之和，这就是三极管中的三个电极上的电流分配关系。发射极和集电极电流基本上是一样的，而基极电流和发射极电流是倍数关系，即发射极电流是基极的若干倍，而这个倍数是各个三极管会有不同的，小到几倍、十几倍，大到几十倍、...

不是发射极输入小电流使集电极有较大的电流输出，是基极小电流引起集电极大电流输出。在放大区内，三极管的集电极电流和基极电流之间成比较固定的比例关系（这个比例就是三极管的电流放大倍数hef），基极电流和集电极电流合起来形成发射极电流。基极电流Ib、集电极电流Ic和发射极电流Ie的关系见下图——...

三极管各电极上的电流分配关系为：发射极IE=基极IB+集电极IC。发射极电流IE，集电极电流IC大于基极电流IB，集电极IC=β基极IB。晶体三极管有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative）。N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压...

当基极电压上升时，由于三极管的放大作用，集电极电压会下降，呈现出与基极电压反向的关系。这是因为三极管在放大状态时，基极电压的变化会控制集电极与发射极之间的电流，从而影响集电极电压。电流波形同相：与电压波形不同，基极电流与集电极电流的变化是同相的。当基极电流上升时，集电极电流也会上升，这是...

BJT作为电流放大器件，以NPN型为例，其集电极电流IC与基极电流IB之间的关系为IC=β*IB，这里的β是增益系数。而MOSFET则是电压控制器件，其漏极电流ID主要由栅极电压VGS决定，基本不消耗驱动电流。MOSFET的放大能力通常用跨导gm来表示，跨导的定义是漏极电流ID与栅极电压VGS的比值，反映了栅极电压对漏极...

晶体管集电极电流与基极电流是β值的关系。β在三极管中大于1。所以有电流放大作用。至于机理你需要去读一读半导体基础教材。输入交流信号时。交流电的正半周是使基极电流增加。负半周使基极电流减少（不是反偏）只有输入信号负半周的电流等于或大于Rb 提供的基本电流时三极管基射才可能被反偏。设计电路是...

Ie=Ic+Ib+Iceo Iceo=(1+β)Icbo在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即： β1=Ic/Ib 式中：β--称为直流放大倍数， 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为： β= △Ic/△Ib 式中β-...

在三极管中，电流总是从高电位流向低电位。如果已知发射极、集电极和基极的电流方向，可以判断哪一端电位最高，哪一端电位最低。利用电流大小关系：发射极电流等于集电极电流加基极电流，即IE = IC + IB。通常情况下，基极电流IB远小于集电极电流IC。结合电位和电流方向判断极性：NPN型管：发射极电位最低...