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专利名称：堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法专利类型：发明专利
发明人：殷华湘,马小龙,徐唯佳,徐秋霞,朱慧珑申请号：CN201310274960.2申请日：20130702公开号：CN104282559A公开日：20150114
摘要：本发明公开了一种堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法，包括：由多个纳米线上下层叠构成的串珠状的纳米线堆叠，在衬底上沿第一方向延伸；多个栅极堆叠，沿第二方向延伸并且跨越了每个纳米线堆叠；多个源漏区，位于每个栅极堆叠沿第二方向两侧；多个沟道区，由位于多个源漏区之间的纳米线堆叠构成。依照本发明的堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法，通过多次回刻、侧向刻蚀沟槽并填充，形成了质量良好的串珠状的纳米线堆叠，以较低的成本充分增大导电沟道有效宽度，并且提高了有效导电总截面面积，从而提高驱动电流。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3#
国籍：CN
代理机构：北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：陈红
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